Представлена система уравнений связанных волн, пригодная для расчета векторных амплитуд линейно поляризованных световых волн при четырехволновом взаимодействии на фазово-амплитудных голографических решетках в кубическом фоторефрактивном полупроводнике произвольного среза, принадлежащем классу симметрии 43m. На основании численного решения системы уравнений связанных волн рассчитаны графики зависимости интенсивностей поляризационных компонент обращенной световой волны от ориентационного угла для кристалла GaAs среза (110). Проведено сравнение полученных графиков зависимостей с известными теоретическими и экспериментальными данными. Показано, что наилучшее совпадение результатов теоретического моделирования и экспериментальных данных достигается в случае, если при расчете встречного четырехволнового взаимодействия в кристалле GaAs среза (110) допускается формирование нескольких фазово-амплитудных голографических решеток, а также принимается во внимание вклад фотоупругого и обратного пьезоэлектрического эффектов вместе с поглощением кристалла.

Оптика и спектроскопия. — Санкт-Петербург: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук, 2022 -. — Электрон. журнал. — Периодичность: 12 раз в год. — Размещен на платформе "eLIBRARY.RU", ООО НЭБ: https://elibrary.ru/. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://elibrary.ru/title_about_new.asp?id=7925>.

Оптика и спектроскопия. — Санкт-Петербург: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук, 2022 -. Т. 130, № 3, 2022. — (18 ст.). — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://elibrary.ru/contents.asp?id=48281180>.