Details
| Title | Аддитивное ионное легирование арсенида галлия методом формирования нанокластеров = Additive ion implantation in gallium arsenide by forming alloy nanoclusters // Физика и химия обработки материалов = Physics and chemistry of materials treatment: научно-технический журнал. – 2022. – № 2. — С. 5-12 |
|---|---|
| Creators | Перинская И. В. ; Перинский В. В. ; Родионов И. В. ; Куц Л. Е. |
| Imprint | 2022 |
| Collection | Общая коллекция |
| Subjects | Физика ; Физика твердого тела. Кристаллография в целом ; нанокластеры (физика) ; арсенид галлия ; ионное легирование ; аддитивное ионное легирование ; углеродные беспористые покрытия ; легирование протонами ; газовые нанокластеры ; nanoclusters (physics) ; gallium arsenide ; ion doping ; additive ion doping ; carbon nonporous coatings ; proton doping ; gas nanoclusters |
| UDC | 539.2 |
| LBC | 22.37 |
| Document type | Article, report |
| Language | Russian |
| DOI | 10.30791/0015-3214-2022-2-5-12 |
| Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
| Record key | RU\SPSTU\edoc\68419 |
| Record create date | 6/15/2022 |
Исследовано влияние последовательного ионного легирования протонами с энергией 30 кэВ и дозой 3*10{13} ион/см{2}, ионами легирующего элемента (серы), с энергией 75 кэВ и дозой (1 - 6)*0{1 ион/см{2}, ионами серы с энергией 30 кэВ и дозой 4*10{16} ион/см{2} и отжига в углеродосодержащей атмосфере (CO[2]) при температуре 500 С на характеристики монокристаллического арсенида галлия. Предложен механизм увеличения подвижности электронов в поверхностном слое до 4500 - 5000 см[2]/(В*с), основанный на формировании газовых нанокластеров при облучения протонами с последовательным заполнением их объема ионами серы и активационного отжига под слоем углеродного беспористого покрытия, синтезированного ускоренными ионами в углеродосодержащей атмосфере. Предлагаемый способ открывает новые возможности ионного легирования для применения в монолитно-интегральной технологии интегральных схем сверхвысоких частот.
The research deals with effects of ion implantation using protons at 30 keV energy and dose of 3*10{13} ion/cm{2}, ion-implanted doping element (sulfur) at 75 keV energy and dose of (1 - 6)*10{14} ion/cm{2}, sulfur ions at 30 keV energy and dose of 4*10{16} ion/cm{2}, and annealing in carbon-containing atmosphere (CO[2]) at 500 С on the characteristics of monocrystalline gallium arsenide. The authors propose a mechanism aimed to increase electron mobility in the surface layer up to 4500 - 5000 cm{2}/(V*s) based on the gas phase nanocluster synthesis during proton irradiation and subsequent filling the bulk of the structure with sulfur ions, including activation annealing under a layer of nonporous carbon coating synthesized by the ions accelerated into carbon-containing atmosphere. The proposed method promotes new possibilities for ion implantation to be applied in monolithic microwave integrated circuit (MMIC) design and technology.
Access count: 152
Last 30 days: 9
