Details

Title Аддитивное ионное легирование арсенида галлия методом формирования нанокластеров // Физика и химия обработки материалов: научно-технический журнал. – 2022. – С. 5-12
Creators Перинская И. В.; Перинский В. В.; Родионов И. В.; Куц Л. Е.
Imprint 2022
Collection Общая коллекция
Subjects Физика; Физика твердого тела. Кристаллография в целом; нанокластеры (физика); арсенид галлия; ионное легирование; аддитивное ионное легирование; углеродные беспористые покрытия; легирование протонами; газовые нанокластеры; nanoclusters (physics); gallium arsenide; ion doping; additive ion doping; carbon nonporous coatings; proton doping; gas nanoclusters
UDC 539.2
LBC 22.37
Document type Article, report
File type Other
Language Russian
DOI 10.30791/0015-3214-2022-2-5-12
Rights Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)
Record key RU\SPSTU\edoc\68419
Record create date 6/15/2022

Allowed Actions

View

Исследовано влияние последовательного ионного легирования протонами с энергией 30 кэВ и дозой 3*10{13} ион/см{2}, ионами легирующего элемента (серы), с энергией 75 кэВ и дозой (1 - 6)*0{1 ион/см{2}, ионами серы с энергией 30 кэВ и дозой 4*10{16} ион/см{2} и отжига в углеродосодержащей атмосфере (CO[2]) при температуре 500 С на характеристики монокристаллического арсенида галлия. Предложен механизм увеличения подвижности электронов в поверхностном слое до 4500 - 5000 см[2]/(В*с), основанный на формировании газовых нанокластеров при облучения протонами с последовательным заполнением их объема ионами серы и активационного отжига под слоем углеродного беспористого покрытия, синтезированного ускоренными ионами в углеродосодержащей атмосфере. Предлагаемый способ открывает новые возможности ионного легирования для применения в монолитно-интегральной технологии интегральных схем сверхвысоких частот.

The research deals with effects of ion implantation using protons at 30 keV energy and dose of 3*10{13} ion/cm{2}, ion-implanted doping element (sulfur) at 75 keV energy and dose of (1 - 6)*10{14} ion/cm{2}, sulfur ions at 30 keV energy and dose of 4*10{16} ion/cm{2}, and annealing in carbon-containing atmosphere (CO[2]) at 500 С on the characteristics of monocrystalline gallium arsenide. The authors propose a mechanism aimed to increase electron mobility in the surface layer up to 4500 - 5000 cm{2}/(V*s) based on the gas phase nanocluster synthesis during proton irradiation and subsequent filling the bulk of the structure with sulfur ions, including activation annealing under a layer of nonporous carbon coating synthesized by the ions accelerated into carbon-containing atmosphere. The proposed method promotes new possibilities for ion implantation to be applied in monolithic microwave integrated circuit (MMIC) design and technology.

Access count: 112 
Last 30 days: 0

Detailed usage statistics