Физические модели МОП-транзисторов, применяемые при проектировании современных интегральных микросхем, характеризуются точностью, что позволяет с заданной степенью достоверности моделировать их работу, но отличаются высокой сложностью. Поэтому обычно применяются менее точные, но более компактные аналитические модели транзисторов и устройств на их основе. Однако при расчетах и оценивании значения параметров, составляющих уравнения модели, не во всех случаях могут быть известны с достаточной степенью точности. В работе представлена методика итерационного уточнения значений параметров в аналитических моделях, описывающих устройства на основе интегральных МОП-транзисторов. С использованием результатов моделирования, проведенного в САПР Cadence с подключением высокоточной модели МОП-транзисторов BSIM4, на примере разработанной ранее аналитической модели умножителя напряжения показана возможность практического применения предлагаемой методики. Установлено, что использование методики уточнения параметров значительно снижает погрешности моделей электронных устройств на основе интегральных МОП-транзисторов.

Physical MOSFET models applied at modern ICs design feature high accuracy which allows simulating their work with desired degree of fidelity. However, such models are characterized by high complexity, as a result, their usage at analysis and forecasting of the designing devices is impractical. Therefore for estimation and forecast less accurate but more compact analytical models of the transistors and the devices based on them are usually applied. Meanwhile not in every case at calculations and estimation the values of all parameters composing the model equations could be known with sufficient accuracy. In this work, a refinement approach of the parameter values of the analytical models describing the integrated MOS transistors based devices is presented. The possibility of practical usage of the proposed approach has been demonstrated applying the simulation results obtained with EDA of Cadence and highly-precise BSIM4 MOS model by the example of the voltage multiplier analytical model developed earlier. It is established that the use of the parameter refinement technique significantly reduces the errors of models of electronic devices based on MOSFETs.

Известия высших учебных заведений. Электроника = Proceedings of universities. Electronics: научно-технический журнал. — Москва: МИЭТ, 2022 -. — Электрон. журнал. — Периодичность: 6 раз в год. — Размещен на платформе "eLIBRARY.RU", ООО НЭБ: https://elibrary.ru/. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://www.elibrary.ru/title_about_new.asp?id=7821>.

Известия высших учебных заведений. Электроника = Proceedings of universities. Electronics: научно-технический журнал. — Москва: МИЭТ, 2022 -. Т. 27, № 5, 2022. — (11 ст.). — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://elibrary.ru/contents.asp?id=49562231>.