Details

Обнаружена быстрая компонента, порядка 387 ns (300 K), в кинетике затухания желтой люминесценции (563 nm) кристалла LiF-UO[2]. Методом азимутальной зависимости поляризации люминесценции показано, что излучательные центры представляют собой анизотропные образования, ориентированные в кристаллической решетке вдоль осей симметрии второго порядка (С[2]). Предложена модель излучательного центра и определено положение возбужденного уровня кислородного дефекта, с которого осуществляется переход электрона в зону проводимости. В результате переноса электрона от иона кислорода на возбужденный уровень U{6+} наблюдается люминесценция с 387 ns иона U{5+}. Последующая локализация дырки на U{5+} в основном состоянии сопровождается восстановлением иона U{6+}, люминесценцию которого мы наблюдаем в зеленой области спектра (523 nm) с tau~100 mus.