С переходом в область критических размеров менее 100 нм двумерные (планарные) формы структур элементов, изготавливаемых в процессе технологического цикла, изменяются на трехмерные сложные формы. Это различные затворные структуры МОП-транзисторов, оксидные и нитридные маски для фотолитографии, транзисторы с "плавниковым" затвором (FinFET), транзисторы с опоясывающим затвором (GAA-FET) и др. Контроль технологических процессов, помимо требований к критическим размерам элементов в плоскости, включает в себя также требования к прецизионности измерений полного профиля. Несмотря на широкое разнообразие разработанных в настоящее время методов измерений линейных размеров и профиля поверхности, не все из них можно использовать для контроля трехмерного профиля изготавливаемых структур. В работе на основе анализа литературных данных показаны особенности широко используемых в настоящее время методов измерений линейных размеров и элементов топологии, выявлены проблемы их применения для контроля трехмерного профиля. Рассмотрены перспективные методики контроля, внедряемые в настоящее время при производстве ИС.

With the IC elements transition to critical size region of less than 100 nm, two-dimensional shapes of element structures manufactured during fabrication cycle are changed to three-dimensional complex shapes. These are different gate structures of MOS transistors, oxide and nitride photolithography masks, “fin” gate transistors (FinFET), gate-all-around transistors (GAAFET) and others. Process validation, besides requirements to critical sizes of elements in the two-dimensional plane, also includes requirements to precision of full profile measurements. Despite the wide variety of currently developed linear dimensions and surface profile measurement techniques, not all of them can be applied to three-dimensional profile control of fabricated structures. In this work, based on literature data analysis the features of widely used techniques for measurement of linear sizes and topology elements are displayed, and the difficulties in employing them to control a three-dimensional profile are elicited. The promising measurement techniques currently being introduced in the IC fabrication have been considered.

Известия высших учебных заведений. Электроника = Proceedings of universities. Electronics: научно-технический журнал. — Москва: МИЭТ, 2022 -. — Электрон. журнал. — Периодичность: 6 раз в год. — Размещен на платформе "eLIBRARY.RU", ООО НЭБ: https://elibrary.ru/. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://www.elibrary.ru/title_about_new.asp?id=7821>.

Известия высших учебных заведений. Электроника = Proceedings of universities. Electronics: научно-технический журнал. — Москва: МИЭТ, 2022 -. Т. 28, № 3, 2023. — (13 ст.). — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://www.elibrary.ru/contents.asp?id=54011388>.