Details

В настоящее время для регистрации оптического излучения, как правило, применяются многоэлементные лавинные фотоприемники - кремниевые фотоумножители (Si-ФЭУ). Однако не все характеристики данных фотоприемников изучены. Так, не исследованы зависимости плоского угла зрения Si-ФЭУ от напряжения питания и длины волны оптического излучения. В работе в качестве объектов исследования использованы Si-ФЭУ КОФ5-1035, Ketek РМ 3325 и ON Semi FC 30035. Установлено, что увеличение перенапряжения приводит к росту плоского угла зрения. Определено, что плоский угол зрения Si-ФЭУ имеет максимальное значение при длине волны оптического излучения lambda = 470 нм и в диапазоне длин волн lambda = 380-750 нм изменяется не более чем на 11 %. Полученные результаты могут найти применение при разработке и конструировании приборов и устройств для регистрации оптического излучения на основе Si-ФЭУ, при реализации технологии Li-Fi.

Currently, multi-element avalanche photodetectors - silicon photomultipliers (SiPM) - are often used to detect optical radiation. However, not all characteristics of these photodetectors are studied. So, the dependences of the flat viewing angle of SiPM on the supply voltage and wavelength of optical radiation are not investigated. In this work, silicon photomultipliers KOF5-1035 (RB), Ketek RM 3325, and ON Semi FC 30035 (Germany) were used as objects of study. It is found that an increase in the overvoltage results in an increase in the flat viewing angle. It has been determined that the flat viewing angle of the SiPM has a maximum value at an optical radiation wavelength lambda = 470 nm and in the lambda = 380-750 nm wavelength range it changes by no more than 11 %. The results obtained may find application, for example, in the development and design of instruments and devices for optical radiation detection based on SiPM, in the implementation of Li-Fi technology and other optical systems.