Details
Title | Электрический транспорт в пористых структурах Si-Ge/c-Si, сформированных электрохимическим осаждением германия в пористый кремний // Известия высших учебных заведений. Электроника: научно-технический журнал. – 2023. – С. 734-744 |
---|---|
Creators | Горошко Д. Л.; Гаврилин И. М.; Дронов А. А.; Горошко О. А.; Волкова Л. С.; Гревцов Н. Л.; Чубенко Е. Б.; Бондаренко В. П. |
Imprint | 2023 |
Collection | Общая коллекция |
Subjects | Физика; Термодинамика твердых тел; пористые структуры; электрический транспорт (химия); электрохимическое осаждение; германий; пористый кремний; электропроводность; электрофизические свойства; porous structures; electric transport (chemistry); electrochemical deposition; germanium; porous silicon; electrical conductivity; electrophysical properties |
UDC | 536.42 |
LBC | 22.375 |
Document type | Article, report |
File type | Other |
Language | Russian |
DOI | 10.24151/1561-5405-2023-28-6-734-744 |
Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
Record key | RU\SPSTU\edoc\72226 |
Record create date | 12/15/2023 |
Пленочные структуры на основе твердых растворов Si[1- х] Ge[х] (0 < х < 1) в настоящее время получают методами химического осаждения из газовой фазы. Для приборного применения полученных структур необходимо знать электрофизические свойства материала, синтезированного при разных условиях. В работе проведены гальваномагнитные исследования электропроводности в пористых и сплошных пленках Si[1- х] Ge[х], а также концентрации и подвижности основных носителей заряда в них при температуре 30-300 К. Показано, что, как и в чистых кремнии и германии сравнимой пористости, электропроводность в исследованных образцах можно рассматривать как в среде с пустотами. Установлено, что тип основных носителей заряда в сплаве определяется типом использованной кремниевой подложки. Это практически важно для создания обоих плеч термоэлектрического преобразователя, что делает метод получения сплава Si[1- х] Ge[х] перспективным для приборного применения, в частности в термоэлектрических преобразователях и литий-ионных аккумуляторах.
Film structures based on the Si[1- х] Ge[х] (0 < х < 1) solid solutions are currently obtained by chemical vapor deposition. For instrumental application of obtained structures it is necessary to know electrophysical properties of material synthetically produced under different circumstances. In this work, galvanomagnetic studies of electrical conductivity in porous and continuous Si[1- х] Ge[х] films, as well as of main charge carriers concentration and mobility, are performed. It was demonstrated that, as in pure silicon and germanium of comparable porosity, the electrical conductivity in the studied samples can be considered as in a medium with voids. It has been established that main charge carriers’ type in the alloy is determined by type of the used silicon substrate. This is practically important for creating both arms of the thermoelectric converter, which makes the Si[1- х] G[х] (0 < х < 1) alloy fabrication method promising for instrumental application, particularly in thermoelectric converters and lithium-ion batteries.
Access count: 11
Last 30 days: 1