Details

Title: Влияние термического отжига на гамма-индуцированные центры окраски и активаторное свечение в сцинтилляторных кристаллах Lu[2]SiO[5]:Ce // Оптика и спектроскопия. – 2023. – С. 1052-1057
Creators: Исламов А. Х.; Ибрагимова Э. М.; Кудратов Х. К.; Расулкулова Д. С.
Imprint: 2023
Collection: Общая коллекция
Subjects: Физика; Ядерная физика в целом; оксиортосиликат лютеция; сцинтилляторные кристаллы; активаторное свечение; гамма-индуцированные центры окраски; термический отжиг; легирование церием; ядерные излучения; гаммалюминесценция
UDC: 539.1
LBC: 22.38
Document type: Article, report
File type: Other
Language: Russian
DOI: 10.61011/OS.2023.08.56295.4357-23
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)
Record key: RU\SPSTU\edoc\72190

Allowed Actions: View

Annotation

Оксиортосиликат лютеция, легированный церием Lu[2]SiO[5]:Ce, используется как сцинтиллятор для регистрации ядерных излучений. Однако после гамма облучения (60Co) высокой дозой 5*10{6} Gy при 310 K выход гаммалюминесценции (ГЛ) снижается на 25%. Для выяснения причин и механизма этого снижения в данной работе исследованы изохронный термический отжиг наведенных оптических центров окраски и восстановление активаторного свечения в интервале температур от 373 до 773 K в воздухе. Показано, что после облучения наряду с полосами 238 (F-центр), 263 (Се{3+}/Се{4) и 293 nm (Се{3+}/F{+}) также регистрируется полоса поглощения 430 nm, которая предположительно связана с дефектным Ce{4+}+V[O] - центром и ответственна за желтую окраску и снижение ГЛ в полосах 399 и (Сe1-центр) и 450 nm (Ce2-центр). При температурах > 573 K F-центры и Се{4+}+V[O] 420 nm комплексы отжигаются и ГЛ восстанавливается до исходного уровня, что связано с миграцией междоузельного кислорода к его вакансиии залечиванием радиационных дефектов.

Usage statistics

stat Access count: 14
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics