Details

Title Объемные пропускающие голограммы в кристаллах ниобата лития с поверхностным легированием медью для реализации фотовольтаических пинцетов // Оптика и спектроскопия. – 2023. – Т. 131, № 10. — С. 1365-1373
Creators Анисимов Р. И.; Темерева А. С.; Колмаков А. А.; Шандаров С. М.
Imprint 2023
Collection Общая коллекция
Subjects Физика; Геометрическая оптика. Оптические приборы; голограммы; пропускающие голограммы; объемные пропускающие голограммы; кристаллы; ниобат лития; легирование медью; поверхностное легирование медью; фотовольтаические пинцеты
UDC 535.31
LBC 22.342
Document type Article, report
File type Other
Language Russian
DOI 10.61011/OS.2023.10.56888.5480-23
Rights Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)
Record key RU\SPSTU\edoc\72441
Record create date 2/9/2024

Allowed Actions

View

Представлены результаты экспериментальных исследований, теоретического анализа и численного моделирования особенностей формирования объемных пропускающих голограмм картиной интерференции лазерных пучков с высоким контрастом в диффузионно-легированной пластине Х-среза LiNbO[3]:Cu с различающимися распределениями ионов меди Cu{+} и Cu{2+}, каждое из которых описывается суммой постоянной составляющей и двух функций Гаусса. Получены аналитические выражения для описания временной эволюции амплитуды первой пространственной гармоники электрического поля фоторефрактивной голограммы, принимающие во внимание неоднородности распределения ионов меди и показателя поглощения записывающих пучков по толщине образца. Из сопоставления экспериментальных результатов с полученными теоретическими соотношениями оценены некоторые материальные параметры исследуемой структуры LiNbO[3]:Cu. Проведен сравнительный анализ пространственного распределения для амплитуды первой гармоники поля фоторефрактивной голограммы в пластинах LiNbO[3]:Cu двух типов. Получено, что для реализации фотовольтаических пинцетов необходимо использовать диффузионно-легированные структуры LiNbO[3]:Cu X-среза с близкими распределениями донорных (Cu{+}) и ловушечных (Cu{2+}центров, с максимумами, локализованными вблизи границы, предназначенной для захвата микро- и наночастиц.

Access count: 14 
Last 30 days: 3

Detailed usage statistics