| Table | Card | RUSMARC | |
Annotation
Методами оптической и сканирующей электронной микроскопии исследована поверхность монокристаллического кремния, подвергнутого облучению мощным импульсным пучком ионов углерода и протонов. Облучение поверхности осуществляли на ускорителе ТЕМП-2 в вакууме ~ 10{-3} Па. Пучок ионов состоял из ионов углерода (С{+} + С{+2}) 70 % и протонов 30 %. Облучение образца проводили одним импульсом дозой 1,5*10{13} ион/см{2}. На поверхности кремния получены кратеры, характеризующиеся шестигранной формой. Проведенный рентгенофазный анализ показал наличие содержания углерода внутри кратера.
The surface of single-crystal silicon irradiated with a powerful pulsed beam of carbon ions and protons was studied using optical and scanning electron microscopy. The surface was irradiated using a TEMP-2 accelerator in a vacuum of ~10{-3} Pa. The ion beam consisted of 70 % carbon ions (C{+} + C{+2}) and 30 % protons. The sample was irradiated with one pulse with a dose of 1.5*10{13} ions/cm{2}. Craters characterized by a hexagonal shape were obtained on the silicon surface. X-ray phase analysis showed the presence of carbon content inside the crater.
Included in
Usage statistics
|
|
Access count: 11
Last 30 days: 1 Detailed usage statistics |