Details

При проектировании фотодетекторов, применяемых в условиях внешнего воздействия, необходимо учитывать изменения электрических характеристик, обусловленных токами генерации и рекомбинации на возникающих дефектах кристаллической решетки. В работе приведен вывод общего выражения для генерационно-рекомбинационных токов в области пространственного заряда p - n-перехода. Представлен алгоритм расчета ВАХ фотодиодов с учетом генерационно-рекомбинационных процессов в области пространственного заряда фотодиода и эффекта Пула - Френкеля. Разработан алгоритм расчета КПД фотодиода при наличии дефектов различных типов. Приведены результаты расчетов, позволяющие оценить влияние дефектов на электрические характеристики фотодиодов.

In the design of photodetectors used under external influences, it is necessary to consider changes in electrical characteristics caused by generation and recombination currents at emerging defects in the crystal lattice. In this work, general expression derivation for generation and recombination currents in the space charge region of p - n junction is given. An algorithm for calculating the current-voltage characteristics of photodiodes with account for generation and recombination processes in the space charge region of photodiode and for Poole - Frenkel effect is presented. An algorithm for calculating the efficiency of a photodiode in the presence of defects of various types has been designed. The results of calculations allowing the evaluation of defects influence on electrical characteristics of photodiodes are given.