Details
| Title | Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения. — 3-е изд. |
|---|---|
| Creators | Таперо К. И.; Улимов В. Н.; Членов А. М. |
| Imprint | Москва: Лаборатория знаний, 2017 |
| Collection | ЭБС "Айбукс.ру/ibooks.ru"; Общая коллекция |
| Subjects | Микроэлектронные схемы интегральные; Ионизирующие излучения — Действие на материалы |
| UDC | 621.3.049.77; 539.16.04 |
| Document type | Other |
| File type | Other |
| Language | Russian |
| Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
| Record key | RU\IBOOK\books\359646 |
| Record create date | 7/27/2020 |
В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц. Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.
Access count: 20
Last 30 days: 4
