Details
| Title | Четырехволновое взаимодействие на фазово-амплитудных голографических решетках в фоторефрактивном пьезокристалле класса симметрии 43m // Оптика и спектроскопия. – 2022. – С. 387-394 |
|---|---|
| Creators | Навныко В. Н. |
| Imprint | 2022 |
| Collection | Общая коллекция |
| Subjects | Физика; Геометрическая оптика. Оптические приборы; голографические решетки; фазово-амплитудные решетки; световые волны; четырехволновое взаимодействие; фоторефрактивные пьезокристаллы; классы симметрии; фоторефрактивные полупроводники |
| UDC | 535.31 |
| LBC | 22.342 |
| Document type | Article, report |
| File type | Other |
| Language | Russian |
| DOI | 10.21883/OS.2022.03.52167.2936-21 |
| Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
| Record key | RU\SPSTU\edoc\68547 |
| Record create date | 7/8/2022 |
Представлена система уравнений связанных волн, пригодная для расчета векторных амплитуд линейно поляризованных световых волн при четырехволновом взаимодействии на фазово-амплитудных голографических решетках в кубическом фоторефрактивном полупроводнике произвольного среза, принадлежащем классу симметрии 43m. На основании численного решения системы уравнений связанных волн рассчитаны графики зависимости интенсивностей поляризационных компонент обращенной световой волны от ориентационного угла для кристалла GaAs среза (110). Проведено сравнение полученных графиков зависимостей с известными теоретическими и экспериментальными данными. Показано, что наилучшее совпадение результатов теоретического моделирования и экспериментальных данных достигается в случае, если при расчете встречного четырехволнового взаимодействия в кристалле GaAs среза (110) допускается формирование нескольких фазово-амплитудных голографических решеток, а также принимается во внимание вклад фотоупругого и обратного пьезоэлектрического эффектов вместе с поглощением кристалла.
Access count: 90
Last 30 days: 54
