Герт, А. В. Плотность электронных состояний в нанокристаллах кремния в матрице SiO[2] и с пассивированной водородом поверхностью = The density of electronic states in silicon nanocrystals in a SiO[2] matrix and with a hydrogen passivated surface / А. В. Герт, А. В. Белолипецкий, И. Д. Авдеев. — 1 файл. — (Физика полупроводников и элементы оптоэлектроники). — DOI 10.17586/1023-5086-2024-91-06-39-46. — Текст: электронный // Оптический журнал = Journal of optical technology. – 2024. – № 6. — С. 39-46. — Загл. с титул. экрана. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://eivis.ru/browse/issue/13873662/viewer?udb=12&page=41>.
| Period | Read | Copy | Open | Total | |
|---|---|---|---|---|---|
| Yesterday | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Last 30 days | 0 | 0 | 0 | 10 | 10 |
| Last 365 days | 0 | 0 | 0 | 10 | 10 |
| All time | 0 | 0 | 0 | 10 | 10 |