Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе HgCdTe nBn со сверхрешёткой в барьерной области = Photoelectric properties of MIS structures based on HgCdTe nBn with a superlattice in the barrier region / А. В. Войцеховский, С. М. Дзядух, Д. И. Горн [и др.]. — 1 файл. — (Физика полупроводников и элементы оптоэлектроники). — DOI 10.17586/1023-5086-2024-91-10-3-14. — Текст: электронный // Оптический журнал = Journal of optical technology. – 2024. – № 10. — С. 3-14. — Загл. с титул. экрана. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://eivis.ru/browse/issue/14608982/viewer?udb=12&page=5>.
| Period | Read | Copy | Open | Total | |
|---|---|---|---|---|---|
| Yesterday | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 |
| Last 30 days | 0 | 0 | 0 | 8 | 8 |
| Last 365 days | 0 | 0 | 0 | 8 | 8 |
| All time | 0 | 0 | 0 | 8 | 8 |