Моделирование процесса распыления карбида кремния фокусированным пучком ионов галлия = Simulation of silicon carbide sputtering by gallium focused ion beam / А. В. Румянцев, О. В. Подорожний, Р. Л. Волков, Н. И. Боргардт. — 1 файл (562 Кб). — (Технологические процессы и маршруты). — DOI 10.24151/1561-5405-2022-27-4-463-474. — Текст: электронный // Известия высших учебных заведений. Электроника = Proceedings of universities. Electronics: научно-технический журнал. – 2022. – С. 463-474. — Загл. с титул. экрана. — Список литературы представлен на русском и английском языках. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://elibrary.ru/item.asp?id=49396191>.
| Period | Read | Copy | Open | Total | |
|---|---|---|---|---|---|
| Yesterday | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Last 30 days | 0 | 0 | 0 | 2 | 2 |
| Last 365 days | 0 | 0 | 0 | 13 | 13 |
| All time | 0 | 0 | 0 | 19 | 19 |