Лагунович, Н. Л. Двумерное моделирование эмиттерного p-n{+}-перехода кремниевого n-p-n-транзистора в прямоугольной и цилиндрической системах координат = Two-dimensional simulation of emitter p-n{+}-junction of a silicon n-p-n-transistor in rectangular and cylindrical coordinate systems / Н. Л. Лагунович. — 1 файл (458 Кб). — (Схемотехника и проектирование). — DOI 10.24151/1561-5405-2023-28-5-621-628. — Текст: электронный // Известия высших учебных заведений. Электроника = Proceedings of universities. Electronics: научно-технический журнал. – 2023. – С. 621-628. — Загл. с титул. экрана. — Список литературы представлен на русском и английском языках. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://www.elibrary.ru/item.asp?id=54683303>.