Мефтахутдинов, Р. М. Моделирование транзистора с плавающим затвором на основе ван-дер-ваальсового гетероперехода графен/h-BN/MoS[2] = Simulation of a floating gate transistor based on a graphene/h-BN/MoS[2] van der Waals heterojunction / Р. М. Мефтахутдинов. — 1 файл (649 Кб). — (Элементы интегральной электроники). — DOI 10.24151/1561-5405-2024-29-4-478-488. — Текст: электронный // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2024. – Т. 29, № 4. — С. 478-488. — Загл. с титул. экрана. — Список литературы представлен на русском и английском языках. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://elibrary.ru/item.asp?id=68621705>.
| Period | Read | Copy | Open | Total | |
|---|---|---|---|---|---|
| Year 2024 | 0 | 0 | 0 | 17 | 17 |
| Total | 0 | 0 | 0 | 17 | 17 |