Моделирование процесса распыления карбида кремния фокусированным пучком ионов галлия = Simulation of silicon carbide sputtering by gallium focused ion beam / А. В. Румянцев, О. В. Подорожний, Р. Л. Волков, Н. И. Боргардт. — 1 файл (562 Кб). — (Технологические процессы и маршруты). — DOI 10.24151/1561-5405-2022-27-4-463-474. — Текст: электронный // Известия высших учебных заведений. Электроника = Proceedings of universities. Electronics: научно-технический журнал. – 2022. – С. 463-474. — Загл. с титул. экрана. — Список литературы представлен на русском и английском языках. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://elibrary.ru/item.asp?id=49396191>.
| Period | Read | Copy | Open | Total | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Year 2022 | Quarter 4 | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 |
| Year 2023 | Quarter 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Quarter 2 | 0 | 0 | 0 | 3 | 3 | |
| Quarter 3 | 0 | 0 | 0 | 2 | 2 | |
| Quarter 4 | 0 | 0 | 0 | 7 | 7 | |
| Year 2024 | Quarter 1 | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 |
| Quarter 2 | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 | |
| Quarter 3 | 0 | 0 | 0 | 3 | 3 | |
| Quarter 4 | 0 | 0 | 0 | 3 | 3 | |
| Total | 0 | 0 | 0 | 21 | 21 | |