Смирнова, В. П. Моделирование средствами TCAD воздействия тяжелых заряженных частиц на n-МОП-структуру в составе ячейки памяти = TCAD simulation of a heavy charged particle impact on a n-MOS structure as a part of a memory cell / В. П. Смирнова, Т. Ю. Крупкина. — 1 файл (410 Кб). — (Краткие сообщения). — DOI 10.24151/1561-5405-2023-28-3-385-390. — Текст: электронный // Известия высших учебных заведений. Электроника = Proceedings of universities. Electronics: научно-технический журнал. – 2023. – С. 385-390. — Загл. с титул. экрана. — Список литературы представлен на русском и английском языках. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://www.elibrary.ru/item.asp?id=54011399>.
| Period | Read | Copy | Open | Total | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Year 2023 | Quarter 2 | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 |
| Quarter 3 | 0 | 0 | 0 | 4 | 4 | |
| Quarter 4 | 0 | 0 | 0 | 2 | 2 | |
| Year 2024 | Quarter 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Quarter 2 | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 | |
| Quarter 3 | 0 | 0 | 0 | 30 | 30 | |
| Quarter 4 | 0 | 0 | 0 | 54 | 54 | |
| Total | 0 | 0 | 0 | 92 | 92 | |