Кристаллизация тонких пленок Ge[2]Sb[2]Te[5] с помощью тонкопленочного резистивного нагревательного элемента для создания оптоэлектронных и интегрально-оптических элементов и устройств на их основе = Crystallization of Ge[2]Sb[2]Te[5] thin films using a thin-film resistive heating element to create optoelectronic and integrated optical elements and devices based on them / В. Б. Глухенькая, Г. Н. Пестов, А. И. Гулидова [и др.]. — 1 файл (869 Кб). — (Материалы электроники). — DOI 10.24151/1561-5405-2024-29-3-267-280. — Текст: электронный // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2024. – Т. 29, № 3. — С. 267-280. — Загл. с титул. экрана. — Список литературы представлен на русском и английском языках. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://www.elibrary.ru/item.asp?id=67881702>.
| Period | Read | Copy | Open | Total | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Year 2024 | Quarter 3 | 0 | 0 | 0 | 14 | 14 |
| Quarter 4 | 0 | 0 | 0 | 2 | 2 | |
| Total | 0 | 0 | 0 | 16 | 16 | |