Особенности TCAD- и SPICE-моделирования удара заряженной частицы в 6T-ячейку статической памяти, изготовленную по КМОП-технологии с проектными нормами 28 нм = Features of TCAD- and SPICE simulation of a charged particle impact into a 6T SRAM cell manufactured using CMOS 28nm technology node / К. О. Петросянц, Д. С. Силкин, Д. А. Попов [и др.]. — 1 файл (611 Кб). — (Схемотехника и проектирование). — DOI 10.24151/1561-5405-2023-28-6-826-837. — Текст: электронный // Известия высших учебных заведений. Электроника = Proceedings of universities. Electronics: научно-технический журнал. – 2023. – С. 826-837. — Загл. с титул. экрана. — Список литературы представлен на русском и английском языках. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://elibrary.ru/item.asp?id=55172144>.
Period | Read | Copy | Open | Total | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|
Year 2023 | Quarter 4 | December | 0 | 0 | 0 | 8 | 8 |
Year 2024 | Quarter 1 | January | 0 | 0 | 0 | 2 | 2 |
February | 0 | 0 | 0 | 2 | 2 | ||
March | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | ||
Quarter 2 | April | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
May | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | ||
June | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | ||
Quarter 3 | July | 0 | 0 | 0 | 2 | 2 | |
August | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | ||
September | 0 | 0 | 0 | 6 | 6 | ||
Quarter 4 | October | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 | |
Total | 0 | 0 | 0 | 21 | 21 |