Usage statistics

Смирнова, В. П. Моделирование средствами TCAD воздействия тяжелых заряженных частиц на n-МОП-структуру в составе ячейки памяти = TCAD simulation of a heavy charged particle impact on a n-MOS structure as a part of a memory cell / В. П. Смирнова, Т. Ю. Крупкина. — 1 файл (410 Кб). — (Краткие сообщения). — DOI 10.24151/1561-5405-2023-28-3-385-390. — Текст: электронный // Известия высших учебных заведений. Электроника = Proceedings of universities. Electronics: научно-технический журнал. – 2023. – С. 385-390. — Загл. с титул. экрана. — Список литературы представлен на русском и английском языках. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://www.elibrary.ru/item.asp?id=54011399>.

stat
Period Read Print Copy Open Total
Year 2023 Quarter 2 June 0 0 0 1 1
Quarter 3 July 0 0 0 3 3
August 0 0 0 0 0
September 0 0 0 1 1
Quarter 4 October 0 0 0 1 1
November 0 0 0 0 0
December 0 0 0 1 1
Year 2024 Quarter 1 January 0 0 0 0 0
February 0 0 0 0 0
March 0 0 0 0 0
Quarter 2 April 0 0 0 0 0
May 0 0 0 1 1
June 0 0 0 0 0
Quarter 3 July 0 0 0 1 1
August 0 0 0 3 3
September 0 0 0 26 26
Quarter 4 October 0 0 0 5 5
Total 0 0 0 43 43