Исследование и разработка процесса глубокого анизотропного плазменного травления кремния со сниженной шероховатостью боковых стенок структур = Research and development of the deep anisotropic silicon plasma etching process with reduced sidewall roughness of the structures / А. А. Голишников, Н. А. Дюжев, В. В. Парамонов [и др.]. — 1 файл (641 Кб). — (Технологические процессы и маршруты). — DOI 10.24151/1561-5405-2023-28-6-762-772. — Текст: электронный // Известия высших учебных заведений. Электроника = Proceedings of universities. Electronics: научно-технический журнал. – 2023. – С. 762-772. — Загл. с титул. экрана. — Список литературы представлен на русском и английском языках. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://www.elibrary.ru/item.asp?id=55172133>.
|
Period
|
Read
|
Print
|
Copy
|
Open
|
Total
|
|
Year 2023
|
Quarter 4
|
December
|
0
|
0
|
0
|
7
|
7
|
|
Year 2024
|
Quarter 1
|
January
|
0
|
0
|
0
|
4
|
4
|
|
February
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
|
March
|
0
|
0
|
0
|
1
|
1
|
|
Quarter 2
|
April
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
|
May
|
0
|
0
|
0
|
1
|
1
|
|
June
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
|
Quarter 3
|
July
|
0
|
0
|
0
|
2
|
2
|
|
Total
|
0
|
0
|
0
|
15
|
15
|
