Григорьева, Т. В. Исследование p-i-n-диодных структур на высокоомных кремниевых подложках методом релаксационной спектроскопии глубоких уровней = Research into p-i-n-diode structures on high-resistivity silicon substrates using deep-level transient spectroscopy / Т. В. Григорьева, С. А. Голубков, А. Н. Бойко. — 1 файл (707 Кб). — (Фундаментальные исследования). — DOI 10.24151/1561-5405-2024-29-4-411-419. — Текст: электронный // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2024. – Т. 29, № 4. — С. 411-419. — Загл. с титул. экрана. — Список литературы представлен на русском и английском языках. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://www.elibrary.ru/item.asp?id=68621699>.
| Period | Read | Copy | Open | Total | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Year 2024 | Quarter 3 | September | 0 | 0 | 0 | 7 | 7 |
| Quarter 4 | October | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 | |
| November | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | ||
| Total | 0 | 0 | 0 | 8 | 8 | ||