Electronic Documents Search

Documents found: 1

1

Применение технологии атомно-слоевого осаждения оксида гафния в производстве элементов электронной компонентной базы // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Информатика. Телекоммуникации. Управление: научное издание. – 2015. – № 4 (224)

Creators	Алябьев Алексей Юрьевич
Organization	Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого; Министерство образования и науки Российской Федерации
Imprint	Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2015
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; атомно-слоевые осаждения; оксид гафния; гафний; электронная компонентная база; миниатюризация; полупроводниковые интегральные схемы; диэлектрические характеристики; микроструктурный анализ
UDC	621.382
LBC	32.852
Document type	Article, report
File type	PDF
Language	Russian
DOI	10.5862/JCSTCS.224.5
Rights	Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 403 Kb

1