Electronic Documents Search

Documents found: 2

1

Моделирование транзистора с плавающим затвором на основе ван-дер-ваальсового гетероперехода графен/h-BN/MoS[2] // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2024. – Т. 29, № 4. — С. 478-488

Creators	Мефтахутдинов Р. М.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; транзисторы; моделирование транзисторов; транзисторы с плавающим затвором; ван-дер-ваальсовые гетеропереходы; графены; DFT-расчеты; мемристоры; transistors; simulation of transistors; floating gate transistors; van der Waals heterojunctions; graphenes; DFT calculations; memristors
UDC	621.382
LBC	32.852
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.24151/1561-5405-2024-29-4-478-488
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://elibrary.ru/item.asp?id=68621705

TCAD-моделирование транзистора со статической индукцией // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2024. – Т. 29, № 4. — С. 489-503

Creators	Максименко Ю. Н.; Петросянц К. О.; Силкин Д. С.; Грабежова В. К.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; транзисторы; моделирование транзисторов; TCAD-моделирование; статическая индукциия; физико-математические модели; сопротивление транзисторов; электрические характеристики; transistors; transistor simulation; TCAD simulation; static induction; physical-mathematical models; resistance of transistors; electrical characteristics
UDC	621.382
LBC	32.852
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.24151/1561-5405-2024-29-4-489-503
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://elibrary.ru/item.asp?id=68621706

1