Electronic Documents Search

Documents found: 1

1

Численное моделирование туннельного эффекта в гетероструктуре нитрида галлия на кремнии // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2024. – Т. 17, № 3. — С. 46-56

Creators	Барыкин Д. А.; Шугуров К. Ю.; Можаров А. М.; Мухин И. С.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Физика; Физика полупроводников и диэлектриков; полупроводники; гетероструктуры; нитрид галлия; кремний; туннельный эффект (физика); численное моделирование; туннельные диоды; semiconductors; heterostructures; gallium nitride; silicon; tunnel effect (physics); numerical simulation; tunnel diodes
UDC	537.311.33
LBC	22.379
Document type	Article, report
File type	PDF
Language	Russian
DOI	10.18721/JPM.17305
Rights	Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 1.1 Mb

1