Electronic Documents Search

Documents found: 1

1

Оптимизация барьерного слоя AlN в гетероструктурах на основе GaN для мощных СВЧ транзисторов с двумерным электронным газом: выпускная квалификационная работа магистра: направление 16.04.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.04.01_01 «Физика и техника полупроводников»

Creators	Плотников Павел Алексеевич
Scientific adviser	Винниченко Максим Яковлевич; Петров С. И.
Organization	Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт электроники и телекоммуникаций
Imprint	Санкт-Петербург, 2024
Collection	Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects	нитриды металлов III-группы; двумерный электронный газ; молекулярная лучевая эпитаксия; барьерный слой; group III metal nitrides; two-dimensional electron gas; molecular beam epitaxy; barrier layer
Document type	Master graduation qualification work
File type	PDF
Language	Russian
Level of education	Master
Speciality code (FGOS)	16.04.01
Speciality group (FGOS)	160000 - Физико-технические науки и технологии
DOI	10.18720/SPBPU/3/2024/vr/vr24-6286
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

pdf

1