Electronic Documents Search

Documents found: 1

1

Исследование структуры слоев GaAs в гетерокомпозициях GaAs/Ge/GaAs методами просвечивающей электронной микроскопии // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2024. – Т. 29, № 5. — С. 559-574

Creators	Сазонов В. А.; Боргардт Н. И.; Приходько А. С.; Казаков И. П.; Клековкин А. В.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Физика; Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях; арсенид галлия; топологические изоляторы; кристаллическое строение; электронная микроскопия; просвечивающая электронная микроскопия; молекулярно-пучковая эпитаксия; дефекты кристаллических структур; gallium arsenide; topological insulators; crystal structure; electron microscopy; transmission electron microscopy; molecular beam epitaxy; defects in crystal structures
UDC	537.533/534
LBC	22.338
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.24151/1561-5405-2024-29-5-559-574
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://elibrary.ru/item.asp?id=72753280

1