Electronic Documents Search

Documents found: 1

1

Исследование p-i-n-диодных структур на высокоомных кремниевых подложках методом релаксационной спектроскопии глубоких уровней // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2024. – Т. 29, № 4. — С. 411-419

Creators	Григорьева Т. В.; Голубков С. А.; Бойко А. Н.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; диодные структуры; p-i-n-диодные структуры; кремниевые подложки; высокоомные кремниевые подложки; релаксационная спектроскопия; спектроскопия глубоких уровней; высокоомный кремний; diode structures; p-i-n diode structures; silicon substrates; high resistance silicon substrates; relaxation spectroscopy; deep level spectroscopy; high resistance silicon
UDC	621.382
LBC	32.852
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.24151/1561-5405-2024-29-4-411-419
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=68621699

1