Table | Card | RUSMARC | |
Allowed Actions: Read Download (0.8 Mb) Group: Anonymous Network: Internet |
Annotation
Исследованы особенности пространственного распределения плотности темнового тока и фототока в фотодиодах на основе структур InAsSbP/InAs(Sb), облучаемых со стороны слоя p-типа проводимости. Проанализировано влияние неравномерности распределения плотности тока на основные характеристики фотодиодов.
Usage statistics
Access count: 2040
Last 30 days: 28 Detailed usage statistics |