Details

Title: Фотодиоды средневолнового ИК диапазона на основе узкозонных полупроводников InAs(Sb), облучаемые со стороны слоя р-типа проводимости: автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук: 01.04.10
Creators: Рыбальченко Андрей Юрьевич
Organization: Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
Imprint: Санкт-Петербург, 2013
Collection: Научные работы аспирантов/докторантов; Общая коллекция
Subjects: Диоды светоизлучающие; Полупроводниковые структуры
UDC: 537.311.322(043.3); 621.383.52(043.3)
Document type: Author's Abstract
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (OKSVNK): 01.04.10
Speciality group (OKSVNK): 010000 - Физико-математические науки
Rights: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Allowed Actions: Read Download (0.8 Mb) You need Flash Player to read document

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Исследованы особенности пространственного распределения плотности темнового тока и фототока в фотодиодах на основе структур InAsSbP/InAs(Sb), облучаемых со стороны слоя p-типа проводимости. Проанализировано влияние неравномерности распределения плотности тока на основные характеристики фотодиодов.

Document access rights

Network User group Action
FL SPbPU Local Network All Read Print Download
-> Internet All Read Print Download

Document usage statistics

stat Document access count: 960
Last 30 days: 15
Detailed usage statistics