Details
| Title | Фотодиоды средневолнового ИК диапазона на основе узкозонных полупроводников InAs(Sb), облучаемые со стороны слоя р-типа проводимости: автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 |
|---|---|
| Creators | Рыбальченко Андрей Юрьевич |
| Organization | Санкт-Петербургский государственный политехнический университет |
| Imprint | Санкт-Петербург, 2013 |
| Collection | Научные работы аспирантов/докторантов ; Общая коллекция |
| Subjects | Диоды светоизлучающие ; Полупроводниковые структуры |
| UDC | 537.311.322(043.3) ; 621.383.52(043.3) |
| Document type | Author's Abstract |
| File type | |
| Language | Russian |
| Speciality code (OKSVNK) | 01.04.10 |
| Speciality group (OKSVNK) | 010000 - Физико-математические науки |
| Rights | Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Record key | RU\SPSTU\edoc\20742 |
| Record create date | 11/27/2013 |
Исследованы особенности пространственного распределения плотности темнового тока и фототока в фотодиодах на основе структур InAsSbP/InAs(Sb), облучаемых со стороны слоя p-типа проводимости. Проанализировано влияние неравномерности распределения плотности тока на основные характеристики фотодиодов.
| Network | User group | Action |
|---|---|---|
| ILC SPbPU Local Network | All |
|
| Internet | All |
|
Access count: 2411
Last 30 days: 48
