Таблица | Карточка | RUSMARC | |
Разрешенные действия: Прочитать Загрузить (0,8 Мб) Группа: Анонимные пользователи Сеть: Интернет |
Аннотация
Исследованы особенности пространственного распределения плотности темнового тока и фототока в фотодиодах на основе структур InAsSbP/InAs(Sb), облучаемых со стороны слоя p-типа проводимости. Проанализировано влияние неравномерности распределения плотности тока на основные характеристики фотодиодов.
Права на использование объекта хранения
Статистика использования
Количество обращений: 2029
За последние 30 дней: 22 Подробная статистика |