Детальная информация

Название: Фотодиоды средневолнового ИК диапазона на основе узкозонных полупроводников InAs(Sb), облучаемые со стороны слоя р-типа проводимости: автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук: 01.04.10
Авторы: Рыбальченко Андрей Юрьевич
Организация: Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2013
Коллекция: Научные работы аспирантов/докторантов; Общая коллекция
Тематика: Диоды светоизлучающие; Полупроводниковые структуры
УДК: 537.311.322(043.3); 621.383.52(043.3)
Тип документа: Автореферат
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Код специальности ОКСВНК: 01.04.10
Группа специальностей ОКСВНК: 010000 - Физико-математические науки

Разрешенные действия: Прочитать Загрузить (0,8 Мб) Для чтения документа необходим Flash Player

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Локальная сеть ИБК СПбПУ

Аннотация

Исследованы особенности пространственного распределения плотности темнового тока и фототока в фотодиодах на основе структур InAsSbP/InAs(Sb), облучаемых со стороны слоя p-типа проводимости. Проанализировано влияние неравномерности распределения плотности тока на основные характеристики фотодиодов.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
-> Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Все Прочитать Печать Загрузить

Статистика использования документа

stat Количество обращений: 944
За последние 30 дней: 6
Подробная статистика