Детальная информация
| Название | Фотодиоды средневолнового ИК диапазона на основе узкозонных полупроводников InAs(Sb), облучаемые со стороны слоя р-типа проводимости: автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 |
|---|---|
| Авторы | Рыбальченко Андрей Юрьевич |
| Организация | Санкт-Петербургский государственный политехнический университет |
| Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2013 |
| Коллекция | Научные работы аспирантов/докторантов ; Общая коллекция |
| Тематика | Диоды светоизлучающие ; Полупроводниковые структуры |
| УДК | 537.311.322(043.3) ; 621.383.52(043.3) |
| Тип документа | Автореферат |
| Тип файла | |
| Язык | Русский |
| Код специальности ОКСВНК | 01.04.10 |
| Группа специальностей ОКСВНК | 010000 - Физико-математические науки |
| Права доступа | Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\20742 |
| Дата создания записи | 27.11.2013 |
Исследованы особенности пространственного распределения плотности темнового тока и фототока в фотодиодах на основе структур InAsSbP/InAs(Sb), облучаемых со стороны слоя p-типа проводимости. Проанализировано влияние неравномерности распределения плотности тока на основные характеристики фотодиодов.
| Место доступа | Группа пользователей | Действие |
|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
| Интернет | Все |
|
Количество обращений: 2546
За последние 30 дней: 35
