Details

Title Оптимизация технологических условий эпитаксиального роста толстых слоев нитрида галлия: дис. … канд. физ.-мат. наук: 01.04.10
Creators Вороненков Владислав Валерьевич
Scientific adviser Шретер Юрий Георгиевич
Organization Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
Imprint Санкт-Петербург, 2014
Collection Научные работы аспирантов/докторантов ; Общая коллекция
Subjects Галлий, нитриды ; Полупроводники — Кристаллы — Рост ; газофазная эпитаксия
UDC 537.311.322:548.5(043.3)
Document type Dissertation
File type PDF
Language Russian
Speciality code (OKSVNK) 01.04.10
Speciality group (OKSVNK) 010000 - Физико-математические науки
Rights Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key RU\SPSTU\edoc\23255
Record create date 11/17/2014

Allowed Actions

Read Download (46 Mb)

Group Anonymous
Network Internet

В работе исследован процесс выращивания толстых монокристаллических слоев нитрида галлия методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии. Исследованы режимы роста нитрида галлия, механизмы возникновения ямок роста и механизмы образования растягивающего механического напряжения. Предложены способы оптимизации технологического процесса выращивания толстых слоев нитрида галлия.

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All
Read Print Download
Internet All

Access count: 1248 
Last 30 days: 10

Detailed usage statistics