?

Details
Table Card RUSMARC
Title: Оптимизация технологических условий эпитаксиального роста толстых слоев нитрида галлия: дис. … канд. физ.-мат. наук: 01.04.10
Creators: Вороненков Владислав Валерьевич
Scientific adviser: Шретер Юрий Георгиевич
Organization: Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
Imprint: Санкт-Петербург, 2014
Collection: Научные работы аспирантов/докторантов; Общая коллекция
Subjects: Галлий, нитриды; Полупроводники — Кристаллы — Рост; газофазная эпитаксия
UDC: 537.311.322:548.5(043.3)
Document type: Dissertation
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (OKSVNK): 01.04.10
Speciality group (OKSVNK): 010000 - Физико-математические науки
Rights: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Allowed Actions: Read Download (46 Mb) You need Flash Player to read document

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

В работе исследован процесс выращивания толстых монокристаллических слоев нитрида галлия методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии. Исследованы режимы роста нитрида галлия, механизмы возникновения ямок роста и механизмы образования растягивающего механического напряжения. Предложены способы оптимизации технологического процесса выращивания толстых слоев нитрида галлия.

Document access rights

Network User group Action
FL SPbPU Local Network All Read Print Download
-> Internet All Read Print Download

Document usage statistics

stat Document access count: 291
Last 30 days: 1
Detailed usage statistics