Details
Title | Оптимизация технологических условий эпитаксиального роста толстых слоев нитрида галлия: дис. … канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 |
---|---|
Creators | Вороненков Владислав Валерьевич |
Scientific adviser | Шретер Юрий Георгиевич |
Organization | Санкт-Петербургский государственный политехнический университет |
Imprint | Санкт-Петербург, 2014 |
Collection | Научные работы аспирантов/докторантов ; Общая коллекция |
Subjects | Галлий, нитриды ; Полупроводники — Кристаллы — Рост ; газофазная эпитаксия |
UDC | 537.311.322:548.5(043.3) |
Document type | Dissertation |
File type | |
Language | Russian |
Speciality code (OKSVNK) | 01.04.10 |
Speciality group (OKSVNK) | 010000 - Физико-математические науки |
Rights | Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
Record key | RU\SPSTU\edoc\23255 |
Record create date | 11/17/2014 |
В работе исследован процесс выращивания толстых монокристаллических слоев нитрида галлия методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии. Исследованы режимы роста нитрида галлия, механизмы возникновения ямок роста и механизмы образования растягивающего механического напряжения. Предложены способы оптимизации технологического процесса выращивания толстых слоев нитрида галлия.
Access count: 1248
Last 30 days: 10