Детальная информация

Вороненков, Владислав Валерьевич. Оптимизация технологических условий эпитаксиального роста толстых слоев нитрида галлия [Электронный ресурс]: дис. … канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Вороненков Владислав Валерьевич; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет ; науч. рук. Юрий Георгиевич Шретер. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 46,3 Мб). — Санкт-Петербург, 2014. — Загл. с титул. экрана. — Электронная версия печатной публикации. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Текстовый файл. — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/4917.pdf>.

Дата создания записи: 17.11.2014

Тематика: Галлий, нитриды; Полупроводники — Кристаллы — Рост; газофазная эпитаксия

УДК: 537.311.322:548.5(043.3)

Коллекции: Научные работы аспирантов/докторантов; Общая коллекция

Разрешенные действия: Прочитать Загрузить (46 Мб) Для чтения документа необходим Flash Player

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Локальная сеть ИБК СПбПУ

Аннотация

В работе исследован процесс выращивания толстых монокристаллических слоев нитрида галлия методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии. Исследованы режимы роста нитрида галлия, механизмы возникновения ямок роста и механизмы образования растягивающего механического напряжения. Предложены способы оптимизации технологического процесса выращивания толстых слоев нитрида галлия.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
-> Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Все Прочитать Печать Загрузить

Статистика использования документа

stat Количество обращений: 290
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика