Детальная информация

Вороненков, Владислав Валерьевич. Оптимизация технологических условий эпитаксиального роста толстых слоев нитрида галлия [Электронный ресурс]: дис. … канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Вороненков Владислав Валерьевич; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет ; науч. рук. Юрий Георгиевич Шретер. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 46,3 Мб). — Санкт-Петербург, 2014. — Загл. с титул. экрана. — Электронная версия печатной публикации. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Текстовый файл. — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/4917.pdf>.

Дата создания записи: 17.11.2014

Тематика: Галлий, нитриды; Полупроводники — Кристаллы — Рост; газофазная эпитаксия

УДК: 537.311.322:548.5(043.3)

Коллекции: Научные работы аспирантов/докторантов; Общая коллекция

Разрешенные действия: Прочитать Загрузить (46 Мб) Для чтения документа необходим Flash Player

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

В работе исследован процесс выращивания толстых монокристаллических слоев нитрида галлия методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии. Исследованы режимы роста нитрида галлия, механизмы возникновения ямок роста и механизмы образования растягивающего механического напряжения. Предложены способы оптимизации технологического процесса выращивания толстых слоев нитрида галлия.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Все Прочитать Печать Загрузить

Статистика использования документа

stat Количество обращений: 285
За последние 30 дней: 6
Подробная статистика