Проведены электронно-микроскопические исследования структур на основе квантовых точек InSb/InAs. На ЭМ-изображениях больших квантовых точек (высота - 9-10 нм, диаметр 38-50 нм) в планарной геометрии наблюдался сложный дифракционный контраст. По ЭМ-изображениям высокого разрешения обнаружено наличие дислокаций несоответствия в квантовых точках. Для системы квантовых точек антимонида индия InSb на подложке арсенида индия InAs впервые было проведено моделирование изображений контраста от квантовой точки, содержащей частичную дислокацию Франка. Методом конечных элементов вычислялись поля смешений и рассчитывались ЭМ-изображения. Сравнение результатов моделирования с экспериментом позволило объяснить наблюдаемые особенности муарового узора от большой квантовой точки антимонида индия InSb присутствием в ней дислокации несоответствия на границе квантовая точка - подложка.

The properties of InSb/InAs quantum dots have been investigated by transmission electron microscopy. To understand the origin of distortions in the TEM image the model of InSb QD on InAs substrate containing a partial Frank dislocation was developed and used for calculations of the displacement field and the subsequent diffraction image simulation of InSb QD for the first time.