Детальная информация

Название: Структурные особенности квантовых точек антимонида индия на подложке арсенида индия // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки: научное издание. – 2015. – № 2 (218)
Авторы: Сокура Лилия Александровна; Неведомский Владимир Николаевич; Берт Николай Алексеевич
Организация: Министерство образования и науки Российской Федерации
Выходные сведения: Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2015
Коллекция: Общая коллекция
Тематика: Электронная микроскопия; Квантовая механика; Полупроводники — Физика; Индий, антимониды; Индий, арсениды; квантовые точки; дислокация
УДК: 530.145:538.951(045)
Тип документа: Статья, доклад
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Ссылки: http://doi.org/10.5862/JPM.218.1

Разрешенные действия: Прочитать Загрузить (0,6 Мб) Для чтения документа необходим Flash Player

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Локальная сеть ИБК СПбПУ

Аннотация

Проведены электронно-микроскопические исследования структур на основе квантовых точек InSb/InAs. На ЭМ-изображениях больших квантовых точек (высота - 9-10 нм, диаметр 38-50 нм) в планарной геометрии наблюдался сложный дифракционный контраст. По ЭМ-изображениям высокого разрешения обнаружено наличие дислокаций несоответствия в квантовых точках. Для системы квантовых точек антимонида индия InSb на подложке арсенида индия InAs впервые было проведено моделирование изображений контраста от квантовой точки, содержащей частичную дислокацию Франка. Методом конечных элементов вычислялись поля смешений и рассчитывались ЭМ-изображения. Сравнение результатов моделирования с экспериментом позволило объяснить наблюдаемые особенности муарового узора от большой квантовой точки антимонида индия InSb присутствием в ней дислокации несоответствия на границе квантовая точка - подложка.

The properties of InSb/InAs quantum dots have been investigated by transmission electron microscopy. To understand the origin of distortions in the TEM image the model of InSb QD on InAs substrate containing a partial Frank dislocation was developed and used for calculations of the displacement field and the subsequent diffraction image simulation of InSb QD for the first time.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
-> Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Все Прочитать Печать Загрузить

Статистика использования документа

stat Количество обращений: 265
За последние 30 дней: 5
Подробная статистика