Details
Title | Применение технологии атомно-слоевого осаждения оксида гафния в производстве элементов электронной компонентной базы // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Информатика. Телекоммуникации. Управление: научное издание. – 2015. – |
---|---|
Creators | Алябьев Алексей Юрьевич |
Organization | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого; Министерство образования и науки Российской Федерации |
Imprint | Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2015 |
Collection | Общая коллекция |
Subjects | Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; атомно-слоевые осаждения; оксид гафния; гафний; электронная компонентная база; миниатюризация; полупроводниковые интегральные схемы; диэлектрические характеристики; микроструктурный анализ |
UDC | 621.382 |
LBC | 32.852 |
Document type | Article, report |
File type | |
Language | Russian |
DOI | 10.5862/JCSTCS.224.5 |
Rights | Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
Record key | RU\SPSTU\edoc\30617 |
Record create date | 1/18/2016 |
Рассмотрены технологические преимущества процесса атомно-слоевого осаждения, возможное применение при решении проблем дальнейшей миниатюризации и повышения быстродействия полупроводниковых устройств. Описаны результаты проведенного осаждения перспективного материала наноэлектроники – диоксида гафния различной толщины на кремниевые подложки диаметром 200 и 300 мм. Приведены результаты по формированию многослойных структур с оптимизированными диэлектрическими свойствами. Для созданных образцов представлены результаты измерений диэлектрических характеристик и микроструктурного анализа.
An atomic layer deposition technique provides key advantages for developing more efficient materials with optimized dielectric properties (high-k dielectrics) for various semiconductor device applications (forexample, transistors and memory cells). Highly conformal atomic layer deposition of dielectric layers on 200 and 300 mm silicon wafers, especially HfO2, has no alternative in sight for the next generations ofmicroelectronics. Thus, we have examined the growth behavior of Hafnium-based materials and focused on the impact of precursor chemistry and process conditions on the bulk growth behavior and the ALD growth characteristics of ternary oxides. Two different ALD reactor design types and two wafer diameters results were compared. The results of measuring the dielectric properties and a microstructure analysis have been shown and discussed.
Access count: 1156
Last 30 days: 12