Детальная информация

Алябьев, Алексей Юрьевич. Применение технологии атомно-слоевого осаждения оксида гафния в производстве элементов электронной компонентной базы [Электронный ресурс] = Atomic layer deposition technology for electronic components production / А. Ю. Алябьев. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 403 Кб) // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета = St. Petersburg state polytechnical university journal. Computer science. Telecommunications and control systems. Сер.: Информатика. Телекоммуникации. Управление: научное издание. – Санкт-Петербург, 2015. – № 4 (224) [Электронный ресурс]. — Загл. с титул. экрана. — Электронная версия печатной публикации. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Текстовый файл. — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/8699.pdf>. — <URL:http://doi.org/10.5862/JCSTCS.224.5>.

Дата создания записи: 18.01.2016

Тематика: Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; атомно-слоевые осаждения; оксид гафния; гафний; электронная компонентная база; миниатюризация; полупроводниковые интегральные схемы; диэлектрические характеристики; микроструктурный анализ

УДК: 621.382

ББК: 32.852

Коллекции: Общая коллекция

Ссылки: DOI

Разрешенные действия: Прочитать Загрузить (403 Кб) Для чтения документа необходим Flash Player

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Рассмотрены технологические преимущества процесса атомно-слоевого осаждения, возможное применение при решении проблем дальнейшей миниатюризации и повышения быстродействия полупроводниковых устройств. Описаны результаты проведенного осаждения перспективного материала наноэлектроники – диоксида гафния различной толщины на кремниевые подложки диаметром 200 и 300 мм. Приведены результаты по формированию многослойных структур с оптимизированными диэлектрическими свойствами. Для созданных образцов представлены результаты измерений диэлектрических характеристик и микроструктурного анализа.

An atomic layer deposition technique provides key advantages for developing more efficient materials with optimized dielectric properties (high-k dielectrics) for various semiconductor device applications (forexample, transistors and memory cells). Highly conformal atomic layer deposition of dielectric layers on 200 and 300 mm silicon wafers, especially HfO2, has no alternative in sight for the next generations ofmicroelectronics. Thus, we have examined the growth behavior of Hafnium-based materials and focused on the impact of precursor chemistry and process conditions on the bulk growth behavior and the ALD growth characteristics of ternary oxides. Two different ALD reactor design types and two wafer diameters results were compared. The results of measuring the dielectric properties and a microstructure analysis have been shown and discussed.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Все Прочитать Печать Загрузить

Статистика использования документа

stat Количество обращений: 628
За последние 30 дней: 8
Подробная статистика