Details

Title: Electron and positron propagation in straight and periodically bent axial and planar silicon channels // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки: научное издание. – 2015. –
Creators: Sushko Gennady B.; Korol A. V.; Solov'yov A. V.
Organization: MBN Research Center at Frankfurt Center of Biotechnology; State Marine Technical University; Министерство образования и науки Российской Федерации
Imprint: Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2015
Collection: Общая коллекция
Subjects: Физика; Физика твердого тела. Кристаллография в целом; кристаллы кремния; монокристаллы; аксиальные каналы (физика); плоскостные каналы; периодически изогнутые каналы; электроны; позитроны; каналирование; численные расчеты; деканалирование; изгибы кристаллов
UDC: 539.2
LBC: 22.37
Document type: Article, report
File type: PDF
Language: English
DOI: 10.5862/JPM.225.18
Rights: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key: RU\SPSTU\edoc\30754

Allowed Actions: Read Download (0.6 Mb)

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

The results of numerical calculations of planar and axial types of channeling of electrons and positrons in straight and periodically bent channels in silicon single crystals. The calculation results showed that the length of decanolactone and the number of particles below canaliculi in axial case.

Представлены результаты численных расчетов плоскостного и аксиальных типов каналирования электронов и позитронов в прямых и периодически изогнутых каналах в монокристаллах кремния. Результаты расчетов показали, что длина деканалирования и число каналирующих частиц ниже в аксиальном случае.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
-> Internet All Read Print Download

Usage statistics

stat Access count: 940
Last 30 days: 6
Detailed usage statistics