Детальная информация
Название | Electron and positron propagation in straight and periodically bent axial and planar silicon channels // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки: научное издание. – 2015. – № 3 (225) |
---|---|
Авторы | Sushko Gennady B. ; Korol A. V. ; Solov'yov A. V. |
Организация | MBN Research Center at Frankfurt Center of Biotechnology ; State Marine Technical University ; Министерство образования и науки Российской Федерации |
Выходные сведения | Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2015 |
Коллекция | Общая коллекция |
Тематика | Физика ; Физика твердого тела. Кристаллография в целом ; кристаллы кремния ; монокристаллы ; аксиальные каналы (физика) ; плоскостные каналы ; периодически изогнутые каналы ; электроны ; позитроны ; каналирование ; численные расчеты ; деканалирование ; изгибы кристаллов |
УДК | 539.2 |
ББК | 22.37 |
Тип документа | Статья, доклад |
Тип файла | |
Язык | Английский |
DOI | 10.5862/JPM.225.18 |
Права доступа | Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\30754 |
Дата создания записи | 28.01.2016 |
The results of numerical calculations of planar and axial types of channeling of electrons and positrons in straight and periodically bent channels in silicon single crystals. The calculation results showed that the length of decanolactone and the number of particles below canaliculi in axial case.
Представлены результаты численных расчетов плоскостного и аксиальных типов каналирования электронов и позитронов в прямых и периодически изогнутых каналах в монокристаллах кремния. Результаты расчетов показали, что длина деканалирования и число каналирующих частиц ниже в аксиальном случае.
Количество обращений: 1078
За последние 30 дней: 38