Details

Дюбо, Дмитрий Борисович. Связь объемных и поверхностных эффектов с высотой зарядового барьера в динамическом p–i–n-фотодиоде [Электронный ресурс] / Д. Б. Дюбо, О. Ю. Цыбин. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 637 Кб) // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки, 2018. – Т. 11, № 2 [Электронный ресурс]. — Загл. с титул. экрана. — Электронная версия печатной публикации. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Текстовый файл. — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://doi.org/10.18721/JPM.11202>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/j18-312.pdf>.

Record create date: 10/22/2018

Subject: Радиоэлектроника; Фотоэлектрические приборы; фотодиоды; динамические фотодиоды; зарядовые барьеры; высота зарядовых барьеров; поверхностные эффекты; объемные эффекты; photodiodes; dynamic photodiodes; charge barriers; height of charge barriers; surface effect; volume effect

UDC: 621.383

LBC: 32.854

Collections: Общая коллекция

Links: DOI

Allowed Actions: Read Download (0.6 Mb) You need Flash Player to read document

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Проанализированы характеристики микроэлектронного динамического операционного p–i–n-фотодетектора, обусловленные взаимодействием объемных эффектов и адсорбированных частиц на поверхности пленки оксида кремния. Рассмотрены температурные характеристики в режиме светового облучения, аномальные характеристики температурного гистерезиса, процессы в адсорбированном слое и перенос носителей заряда через потенциальный барьер в объеме кремниевой подложки. Обнаружено, что чувствительность прибора по отношению к фототоку нелинейно зависит от температуры.

The characteristics of the microelectronic dynamic operational p–i–n-photodetector have been analyzed. These features are determined by the interaction of volume effects with particles adsorbed on the SiO[2] film surface. The temperature characteristics in the visible light irradiation regime, the anomalous characteristics of the temperature hysteresis, the processes in the adsorbed layer and the charge carriers transport through the potential barrier in the Si substrate bulk were considered.

Document access rights

Network User group Action
FL SPbPU Local Network All Read Print Download
-> Internet All Read Print Download

Document usage statistics

stat Document access count: 0
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics