В диссертационной работе проведено исследование физических процессов, происходящих при отделении тонких слоев GaN от ростовой подложки применительно к задаче разработки технологии клонирования подложек GaN. Теоретически показано и экспериментально подтверждено, что эффект поглощения излучения свободными носителями заряда в пленках GaN и фононами в сапфировых подложках может быть использован для отделения структур на основе GaN от ростовых подложек. Показано, что эффект нелинейного многофотонного поглощения лазерного излучения может быть использован для отделения структур на основе GaN от объемных кристаллов GaN.