Детальная информация

Название: Плазменные процессы в технологии HEMT транзисторов на основе III-нитридов: автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук: 01.04.04
Авторы: Андрианов Николай Александрович
Научный руководитель: Смирнов Александр Сергеевич
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого; АО "Светлана-Рост"
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2018
Коллекция: Научные работы аспирантов/докторантов; Общая коллекция
Тематика: Плазменная обработка; Полупроводники — Травление; Триоды полупроводниковые полевые
УДК: 621.315.592(043.3); 621.794.449(043.3)
Тип документа: Автореферат
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Ссылки: http://doi.org/10.18720/SPBPU/2/r18-57

Разрешенные действия: Прочитать Загрузить (0,7 Мб) Для чтения документа необходим Flash Player

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Локальная сеть ИБК СПбПУ

Аннотация

В работе исследуются процессы плазменной обработки поверхности GaN в пост-ростовой технологии изготовления полевых HEMT транзисторов на основе гетероперехода AlGaN/GaN. Установлена ключевая роль энергии ионов в модификации поверхности HEMT структур на основе III-нитритов во время плазменных обработок, которые применяются для улучшения характеристик приборов. В работе разработан и создан методами микроэлектроники и плазменного травления планарный энергоанализатор, который позволяет проводить измерения энергий заряженных частиц непосредственно в технологических реакторах без использования камер с дифференциальной откачкой.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
-> Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Все Прочитать Печать Загрузить

Статистика использования документа

stat Количество обращений: 75
За последние 30 дней: 3
Подробная статистика