Детальная информация
| Название | Плазменные процессы в технологии HEMT транзисторов на основе III-нитридов: автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук: 01.04.04 |
|---|---|
| Авторы | Андрианов Николай Александрович |
| Научный руководитель | Смирнов Александр Сергеевич |
| Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого ; АО "Светлана-Рост" |
| Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2018 |
| Коллекция | Научные работы аспирантов/докторантов ; Общая коллекция |
| Тематика | Плазменная обработка ; Полупроводники — Травление ; Триоды полупроводниковые полевые |
| УДК | 621.315.592(043.3) ; 621.794.449(043.3) |
| Тип документа | Автореферат |
| Тип файла | |
| Язык | Русский |
| DOI | 10.18720/SPBPU/2/r18-57 |
| Права доступа | Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\55173 |
| Дата создания записи | 31.10.2018 |
В работе исследуются процессы плазменной обработки поверхности GaN в пост-ростовой технологии изготовления полевых HEMT транзисторов на основе гетероперехода AlGaN/GaN. Установлена ключевая роль энергии ионов в модификации поверхности HEMT структур на основе III-нитритов во время плазменных обработок, которые применяются для улучшения характеристик приборов. В работе разработан и создан методами микроэлектроники и плазменного травления планарный энергоанализатор, который позволяет проводить измерения энергий заряженных частиц непосредственно в технологических реакторах без использования камер с дифференциальной откачкой.
| Место доступа | Группа пользователей | Действие |
|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
| Интернет | Все |
|
Количество обращений: 565
За последние 30 дней: 12
