| Таблица | Карточка | RUSMARC | |
|
|
Разрешенные действия: Прочитать Загрузить (0,7 Мб) Для чтения документа необходим Flash Player Группа: Анонимные пользователи Сеть: Локальная сеть ИБК СПбПУ |
Аннотация
В работе исследуются процессы плазменной обработки поверхности GaN в пост-ростовой технологии изготовления полевых HEMT транзисторов на основе гетероперехода AlGaN/GaN. Установлена ключевая роль энергии ионов в модификации поверхности HEMT структур на основе III-нитритов во время плазменных обработок, которые применяются для улучшения характеристик приборов. В работе разработан и создан методами микроэлектроники и плазменного травления планарный энергоанализатор, который позволяет проводить измерения энергий заряженных частиц непосредственно в технологических реакторах без использования камер с дифференциальной откачкой.
Права на использование объекта хранения
| Место доступа | Группа пользователей | Действие | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
|||
| Интернет | Все |
|
Статистика использования документа
|
|
Количество обращений: 75
За последние 30 дней: 3 Подробная статистика |