Детальная информация

Название Плазменные процессы в технологии HEMT транзисторов на основе III-нитридов: автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук: 01.04.04
Авторы Андрианов Николай Александрович
Научный руководитель Смирнов Александр Сергеевич
Организация Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого ; АО "Светлана-Рост"
Выходные сведения Санкт-Петербург, 2018
Коллекция Научные работы аспирантов/докторантов ; Общая коллекция
Тематика Плазменная обработка ; Полупроводники — Травление ; Триоды полупроводниковые полевые
УДК 621.315.592(043.3) ; 621.794.449(043.3)
Тип документа Автореферат
Тип файла PDF
Язык Русский
DOI 10.18720/SPBPU/2/r18-57
Права доступа Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Ключ записи RU\SPSTU\edoc\55173
Дата создания записи 31.10.2018

Разрешенные действия

Прочитать Загрузить (0,7 Мб)

Группа Анонимные пользователи
Сеть Интернет

В работе исследуются процессы плазменной обработки поверхности GaN в пост-ростовой технологии изготовления полевых HEMT транзисторов на основе гетероперехода AlGaN/GaN. Установлена ключевая роль энергии ионов в модификации поверхности HEMT структур на основе III-нитритов во время плазменных обработок, которые применяются для улучшения характеристик приборов. В работе разработан и создан методами микроэлектроники и плазменного травления планарный энергоанализатор, который позволяет проводить измерения энергий заряженных частиц непосредственно в технологических реакторах без использования камер с дифференциальной откачкой.

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все
Прочитать Печать Загрузить
Интернет Все

Количество обращений: 565 
За последние 30 дней: 12

Подробная статистика