Работа посвящена исследованию накопления структурных нарушений в кремнии при облучении атомарными и молекулярными ионами для создания светоизлучающих структур на основе дислокационной люминесценции, и включает в себя обзор литературных данных, методику эксперимента и экспериментальные данные с описанием результатов.

Accumulation of structural defects in silicon irradiated with atomic and molecular ions was investigated. The study is directed onto development of light-emitting structures based on dislocation luminescence. The thesis includes a literary data review, describes experimental techniques, presents and discusses the acquired experimental results.