Details
Title | Моделирование аппликатора для обработки GaN структур в СВЧ магнитном поле: бакалаврская работа: 11.03.01 |
---|---|
Creators | Ватлин Николай Александрович |
Scientific adviser | Смирнов Александр Васильевич |
Organization | Санкт-Петербургский государственный политехнический университет. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
Imprint | Санкт-Петербург, 2016 |
Collection | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
Subjects | СВЧ обработка ; нитрид галлия ; улучшение свойств твердых тел ; компьютерное моделирование ; дефекты структур ; microwave processing ; gallium nitride ; improvement of properties of solids ; computer modeling ; defects of structures |
Document type | Bachelor graduation qualification work |
File type | |
Language | Russian |
Level of education | Bachelor |
Speciality code (FGOS) | 11.03.01 |
Speciality group (FGOS) | 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи |
DOI | 10.18720/SPBPU/2/v16-2981 |
Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
Record key | RU\SPSTU\edoc\35557 |
Record create date | 1/12/2017 |
Allowed Actions
–
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Action 'Download' will be available if you login or access site from another network
Group | Anonymous |
---|---|
Network | Internet |
В результате выполнения работы, рассмотрены различные варианты конструкции камеры и был выбран призматический одномодовый аппликатор. Определены геометрические размеры аппликатора. Рассмотрены различные согласующие элементы, и выбрана индуктивная диафрагма, для согласования аппликатора с источником излучения. Определено место расположения термостата с структурами из нитрида галлия внутри аппликатора. Полученное значение КСВ камеры не превышает 2,45.
According to the work, the various options for the design of the chamber were considered and a prismatic single-mode applicator was selected. Geometrical dimensions of the applicator were defined. I considered the different matching elements and selected inductive iris for matching of the applicator to a radiation source. The location of the thermostat with the structures of gallium nitride within the applicator was determined. The resulting value of the standing wave ratio does not exceed 2,45.
Network | User group | Action |
---|---|---|
ILC SPbPU Local Network | All |
|
Internet | Authorized users SPbPU |
|
Internet | Anonymous |
|
Access count: 69
Last 30 days: 0