Details

Title Моделирование аппликатора для обработки GaN структур в СВЧ магнитном поле: бакалаврская работа: 11.03.01
Creators Ватлин Николай Александрович
Scientific adviser Смирнов Александр Васильевич
Organization Санкт-Петербургский государственный политехнический университет. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint Санкт-Петербург, 2016
Collection Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция
Subjects СВЧ обработка ; нитрид галлия ; улучшение свойств твердых тел ; компьютерное моделирование ; дефекты структур ; microwave processing ; gallium nitride ; improvement of properties of solids ; computer modeling ; defects of structures
Document type Bachelor graduation qualification work
File type PDF
Language Russian
Level of education Bachelor
Speciality code (FGOS) 11.03.01
Speciality group (FGOS) 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
DOI 10.18720/SPBPU/2/v16-2981
Rights Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key RU\SPSTU\edoc\35557
Record create date 1/12/2017

Allowed Actions

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group Anonymous
Network Internet

В результате выполнения работы, рассмотрены различные варианты конструкции камеры и был выбран призматический одномодовый аппликатор. Определены геометрические размеры аппликатора. Рассмотрены различные согласующие элементы, и выбрана индуктивная диафрагма, для согласования аппликатора с источником излучения. Определено место расположения термостата с структурами из нитрида галлия внутри аппликатора. Полученное значение КСВ камеры не превышает 2,45.

According to the work, the various options for the design of the chamber were considered and a prismatic single-mode applicator was selected. Geometrical dimensions of the applicator were defined. I considered the different matching elements and selected inductive iris for matching of the applicator to a radiation source. The location of the thermostat with the structures of gallium nitride within the applicator was determined. The resulting value of the standing wave ratio does not exceed 2,45.

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All
Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU
Read Print Download
Internet Anonymous

Access count: 69 
Last 30 days: 0

Detailed usage statistics