Details
| Title | Моделирование аппликатора для обработки GaN структур в СВЧ магнитном поле: бакалаврская работа: 11.03.01 |
|---|---|
| Creators | Ватлин Николай Александрович |
| Scientific adviser | Смирнов Александр Васильевич |
| Organization | Санкт-Петербургский государственный политехнический университет. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
| Imprint | Санкт-Петербург, 2016 |
| Collection | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
| Subjects | СВЧ обработка ; нитрид галлия ; улучшение свойств твердых тел ; компьютерное моделирование ; дефекты структур ; microwave processing ; gallium nitride ; improvement of properties of solids ; computer modeling ; defects of structures |
| Document type | Bachelor graduation qualification work |
| File type | |
| Language | Russian |
| Level of education | Bachelor |
| Speciality code (FGOS) | 11.03.01 |
| Speciality group (FGOS) | 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи |
| DOI | 10.18720/SPBPU/2/v16-2981 |
| Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Record key | RU\SPSTU\edoc\35557 |
| Record create date | 1/12/2017 |
Allowed Actions
–
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Action 'Download' will be available if you login or access site from another network
| Group | Anonymous |
|---|---|
| Network | Internet |
В результате выполнения работы, рассмотрены различные варианты конструкции камеры и был выбран призматический одномодовый аппликатор. Определены геометрические размеры аппликатора. Рассмотрены различные согласующие элементы, и выбрана индуктивная диафрагма, для согласования аппликатора с источником излучения. Определено место расположения термостата с структурами из нитрида галлия внутри аппликатора. Полученное значение КСВ камеры не превышает 2,45.
According to the work, the various options for the design of the chamber were considered and a prismatic single-mode applicator was selected. Geometrical dimensions of the applicator were defined. I considered the different matching elements and selected inductive iris for matching of the applicator to a radiation source. The location of the thermostat with the structures of gallium nitride within the applicator was determined. The resulting value of the standing wave ratio does not exceed 2,45.
| Network | User group | Action |
|---|---|---|
| ILC SPbPU Local Network | All |
|
| Internet | Authorized users SPbPU |
|
| Internet | Anonymous |
|
Access count: 69
Last 30 days: 0
