Детальная информация
| Название | Моделирование аппликатора для обработки GaN структур в СВЧ магнитном поле: бакалаврская работа: 11.03.01 |
|---|---|
| Авторы | Ватлин Николай Александрович |
| Научный руководитель | Смирнов Александр Васильевич |
| Организация | Санкт-Петербургский государственный политехнический университет. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
| Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2016 |
| Коллекция | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
| Тематика | СВЧ обработка ; нитрид галлия ; улучшение свойств твердых тел ; компьютерное моделирование ; дефекты структур ; microwave processing ; gallium nitride ; improvement of properties of solids ; computer modeling ; defects of structures |
| Тип документа | Выпускная квалификационная работа бакалавра |
| Тип файла | |
| Язык | Русский |
| Уровень высшего образования | Бакалавриат |
| Код специальности ФГОС | 11.03.01 |
| Группа специальностей ФГОС | 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи |
| DOI | 10.18720/SPBPU/2/v16-2981 |
| Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\35557 |
| Дата создания записи | 12.01.2017 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
| Группа | Анонимные пользователи |
|---|---|
| Сеть | Интернет |
В результате выполнения работы, рассмотрены различные варианты конструкции камеры и был выбран призматический одномодовый аппликатор. Определены геометрические размеры аппликатора. Рассмотрены различные согласующие элементы, и выбрана индуктивная диафрагма, для согласования аппликатора с источником излучения. Определено место расположения термостата с структурами из нитрида галлия внутри аппликатора. Полученное значение КСВ камеры не превышает 2,45.
According to the work, the various options for the design of the chamber were considered and a prismatic single-mode applicator was selected. Geometrical dimensions of the applicator were defined. I considered the different matching elements and selected inductive iris for matching of the applicator to a radiation source. The location of the thermostat with the structures of gallium nitride within the applicator was determined. The resulting value of the standing wave ratio does not exceed 2,45.
| Место доступа | Группа пользователей | Действие |
|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
| Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
| Интернет | Анонимные пользователи |
|
Количество обращений: 69
За последние 30 дней: 0
