Детальная информация

Ватлин, Николай Александрович. Моделирование аппликатора для обработки GaN структур в СВЧ магнитном поле [Электронный ресурс]: бакалаврская работа: 11.03.01 / Н. А. Ватлин; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций ; науч. рук. А. В. Смирнов. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 1,73 МБ). — Санкт-Петербург, 2016. — Загл. с титул. экрана. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать). — Текстовый файл. — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/v16-2981.pdf>. — <URL:http://doi.org/10.18720/SPBPU/2/v16-2981>.

Дата создания записи: 12.01.2017

Тематика: СВЧ обработка; нитрид галлия; улучшение свойств твердых тел; компьютерное моделирование; дефекты структур; microwave processing; gallium nitride; improvement of properties of solids; computer modeling; defects of structures

Коллекции: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция

Ссылки: DOI

Разрешенные действия: Прочитать Для чтения документа необходим Flash Player

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Локальная сеть ИБК СПбПУ

Аннотация

В результате выполнения работы, рассмотрены различные варианты конструкции камеры и был выбран призматический одномодовый аппликатор. Определены геометрические размеры аппликатора. Рассмотрены различные согласующие элементы, и выбрана индуктивная диафрагма, для согласования аппликатора с источником излучения. Определено место расположения термостата с структурами из нитрида галлия внутри аппликатора. Полученное значение КСВ камеры не превышает 2,45.

According to the work, the various options for the design of the chamber were considered and a prismatic single-mode applicator was selected. Geometrical dimensions of the applicator were defined. I considered the different matching elements and selected inductive iris for matching of the applicator to a radiation source. The location of the thermostat with the structures of gallium nitride within the applicator was determined. The resulting value of the standing wave ratio does not exceed 2,45.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
-> Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать
Интернет Все Прочитать Печать

Статистика использования документа

stat Количество обращений: 63
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика