Объектами исследования являются материалы, меняющие свое агрегатное состояние - PCM-материалы. Целью данной работы является исследование электронного транспорта и структурных свойств PCM-материалов, анализ воздействия составов и технологии производства на параметры, важные для практического применения, а также улучшение технологий изготовления и подбор наилучших составов для создания ячеек памяти на основе данных материалов. В первой части работы описаны основные свойства, состав и структура PCM-материалов, электронный транспорт в аморфном и кристаллическом состоянии. Во второй части работы приведены схемы экспериментальных установок и их описание, экспериментальные результаты, а также их обсуждение. В процессе работы проведен анализ ряда физических свойств PCM-материалов. Описаны результаты локальных исследований поверхности образцов Ge0.15Sb0.85 различной толщины и в различном фазовом состоянии с помощью атомарно-силового микроскопа. Проведены исследования температурных зависимостей удельного сопротивления и коэффициента термоэдс для образцов Ge0.15Sb0.85 толщиной 60, 600 нм. Измерен коэффициента Нернста-Эттингсгаузена для образца Ge0.15Sb0.85 толщиной 60 нм в кристаллическом состоянии.

The objects of research are materials that change their state of aggregation - PCM-materials. The aim of this work is to study the electron transport, and structural properties of the PCM-materials, analysis of the impact of structures and manufacturing technologies on the parameters that are important for practical applications, and improved manufacturing techniques and the selection of the best compositions to create the memory cells based on these materials. The first part describes the basic properties, composition and structure of PCM-material, electron transport in the amorphous and crystalline state. In the second part of the paper shows the experimental schemes and their description, experimental results and their discussion. In the process, the analysis of a number of physical properties of the PCM-materials. The results of local research sample surface Ge0.15Sb0.85 different thicknesses and in various phase states using atomic-force microscope. Investigations of the temperature dependence of the resistivity and Seebeck coefficient for samples Ge0.15Sb0.85 thickness of 60 to 600 nm. Measured coefficient of the Nernst-Ettinghausen Ge0.15Sb0.85 sample thickness of 60 nm in the crystalline state.

• Реферат
• ВВЕДЕНИЕ
• 1 Обзор литературы
• 1.1 Структура материалов системы GeSbTe
  • 1.1.1 Структурные свойства в кристаллической фазе
  • 1.1.2 Структурные свойства в аморфной и жидкой фазах
• 1.2 Эффект переключения в PCM-материалах
  • 1.3.1 Нелегируемость
  • 1.3.2 Локализованные состояния
  • 1.3.3 Состояния с отрицательной корреляционной энергией электронов
• 1.5 Электронный транспорт в аморфном состоянии
• Заключение
• Постановка задач на магистерскую диссертацию.
• 2. Экспериментальные установки для измерения температурных зависимостей кинетических коэффициентов
  • 2.1. Измерение удельного сопротивления
    • 2.1.2. Измерение коэффициента термоэдс
    • 2.1.3 Установка для измерения зависимостей Q(T)
• 3. Результаты экспериментальных исследований и их обсуждение
  • 3.1. Исследованные образцы
  • 3.2 Измерения ВАХ TLM-структур
  • 3.3. Исследования профиля поверхности
  • 3.4. Исследования транспортных свойств
• Выводы
• Список использованной литературы