Details
| Title | Электрические и фотоэлектрические свойства структур на основе эпитаксиальных плёнок p-CdXZn₁-xTe, выращенных на Si (100) подложках: магистерская диссертация: 16.04.01 |
|---|---|
| Creators | Ягунов Александр Павлович |
| Scientific adviser | Зыков Валерий Андреевич |
| Organization | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
| Imprint | Санкт-Петербург, 2017 |
| Collection | Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция |
| Subjects | Пленки тонкие; Полупроводниковые гетеропереходы; Солнечная энергия — Использование; Солнечные батареи; Кремний — Фотоэлектрические свойства; эпитаксиальные пленки; кремниевые подложки |
| UDC | 539.216.2:546.28(043.3); 537.311.322(043.3); 621.383.51(043.3) |
| Document type | Master graduation qualification work |
| File type | |
| Language | Russian |
| Level of education | Master |
| Speciality code (FGOS) | 16.04.01 |
| Speciality group (FGOS) | 160000 - Физико-технические науки и технологии |
| DOI | 10.18720/SPBPU/2/v17-2773 |
| Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Record key | RU\SPSTU\edoc\40251 |
| Record create date | 8/25/2017 |
Allowed Actions
–
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Action 'Download' will be available if you login or access site from another network
| Group | Anonymous |
|---|---|
| Network | Internet |
Работа посвящена изготовлению и исследованию структуры, состава и электрических свойств плёнок CdXZn1-XTe на Si (100) подложке, пригодных для последующего изготовления солнечного элемента. Обоснована методика изготовления структур, оптимизированы параметры напыления плёнок. Выполнен теоретический расчёт зонных диаграмм гетероперехода Si/ CdXZn1-XTe, проанализированы механизмы токопротекания. Приводятся результаты расчёта параметров термической диффузии донорной примеси индия в плёнки CdXZn1-XTe. Определены оптимальные параметры диффузии. Экспериментально показано, что высококачественные плёнки CdXZn1-XTe на Si (100) подложке получаются при их выращивании в квазиравновесных условиях из газодинамического потока при Тконд. ≈ 350°С, а также, что введение цинка повышает качество плёнки.
| Network | User group | Action |
|---|---|---|
| ILC SPbPU Local Network | All |
|
| Internet | Authorized users SPbPU |
|
| Internet | Anonymous |
|
Access count: 550
Last 30 days: 0
