Детальная информация
| Название | Электрические и фотоэлектрические свойства структур на основе эпитаксиальных плёнок p-CdXZn₁-xTe, выращенных на Si (100) подложках: магистерская диссертация: 16.04.01 |
|---|---|
| Авторы | Ягунов Александр Павлович |
| Научный руководитель | Зыков Валерий Андреевич |
| Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
| Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2017 |
| Коллекция | Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция |
| Тематика | Пленки тонкие; Полупроводниковые гетеропереходы; Солнечная энергия — Использование; Солнечные батареи; Кремний — Фотоэлектрические свойства; эпитаксиальные пленки; кремниевые подложки |
| УДК | 539.216.2:546.28(043.3); 537.311.322(043.3); 621.383.51(043.3) |
| Тип документа | Выпускная квалификационная работа магистра |
| Тип файла | |
| Язык | Русский |
| Уровень высшего образования | Магистратура |
| Код специальности ФГОС | 16.04.01 |
| Группа специальностей ФГОС | 160000 - Физико-технические науки и технологии |
| DOI | 10.18720/SPBPU/2/v17-2773 |
| Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\40251 |
| Дата создания записи | 25.08.2017 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
| Группа | Анонимные пользователи |
|---|---|
| Сеть | Интернет |
Работа посвящена изготовлению и исследованию структуры, состава и электрических свойств плёнок CdXZn1-XTe на Si (100) подложке, пригодных для последующего изготовления солнечного элемента. Обоснована методика изготовления структур, оптимизированы параметры напыления плёнок. Выполнен теоретический расчёт зонных диаграмм гетероперехода Si/ CdXZn1-XTe, проанализированы механизмы токопротекания. Приводятся результаты расчёта параметров термической диффузии донорной примеси индия в плёнки CdXZn1-XTe. Определены оптимальные параметры диффузии. Экспериментально показано, что высококачественные плёнки CdXZn1-XTe на Si (100) подложке получаются при их выращивании в квазиравновесных условиях из газодинамического потока при Тконд. ≈ 350°С, а также, что введение цинка повышает качество плёнки.
| Место доступа | Группа пользователей | Действие |
|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
| Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
| Интернет | Анонимные пользователи |
|
Количество обращений: 550
За последние 30 дней: 0
